崗位職責：

1、負責IGBT、MOSFET、FRD、SIC MOS、SIC SBD/JBS等功率半導體芯片設計與開發工作，含工藝仿真、結構設計、版圖繪制和工藝流程制定；
2、負責解決芯片設計與開發過程中的關鍵設計、仿真、工藝等技術問題，進行芯片性能分析及優化，確保研發項目的順利進行；
3、相關專利文件撰寫及申請；
4、根據需求進行產品變更與維護，實驗數據的統計分析；
5、負責維護相關產品領域的研發數據庫和設計規則、檢查表；
6、負責功率半導體器件新技術、新標準、新工具和新方法學的研究及開發。

任職要求：

1、專業背景/學歷：碩士及以上學歷（或從業5年以上的重點本科學歷），微電子與固體電子、半導體器件與物理等相關專業，具有扎實的物理基礎和半導體器件基礎；
2、工作經驗：功率半導體器件相關工作經驗1年（含）以上，有功率器件流片成功工作經驗者優先，具有SGT MOSFET、超結(Super Junction) MOSFET、IGBT、SiC-SBD/MOSFET一種或多種設計經驗者尤佳；
3、專業知識與技能要求：熟悉MOSFET、IGBT、FRD、SIC mos,SIC SBD等功率半導體器件的開發流程；熟悉半導體封裝、FAB晶圓制造工藝流程，了解功率器件二極管、MOS、IGBT內部物理結構；熟悉版圖設計（Layout Design）和器件仿真（TCAD Simulation）；了解芯片封裝層面的熱應力、機械應力仿真，PI/SI仿真內容;
4、具有Fab實際經驗和上述功率半導體器件的實際開發/生產經驗優先，對芯片可靠性設計以及晶圓工藝，封裝，測試有深入理解者優先，有芯片逆向工作分析經驗者優先。